原標題:三星被裁定侵犯韓國一大學(xué)專利 將賠償4億美元
據(jù)外媒報道,美國德克薩斯州一家聯(lián)邦地方法院的陪審團周五裁定,三星電子侵犯韓國一家大學(xué)的專利,需向后者賠償4億美元。陪審團在經(jīng)過審理后裁定,三星電子的侵權(quán)行為屬于“故意”或有意為之,這意味著法官可以將損害賠償額提高到陪審團設(shè)定的三倍。這起訴訟案標志著韓國頂尖科研機構(gòu)與對該國經(jīng)濟至關(guān)重要的公司之間的沖突。
據(jù)外媒報道,美國德克薩斯州一家聯(lián)邦地方法院的陪審團周五裁定,三星電子侵犯韓國一家大學(xué)的專利,需向后者賠償4億美元。
該陪審團指出,高通和GlobalFoundries兩家公司也侵犯了韓國科學(xué)技術(shù)院(Korea Advanced Institute of Science & Technology)專利部門所有的專利,但無需進行賠償。
三星電子、高通和GlobalFoundries侵犯韓國科學(xué)技術(shù)院的專利與“FinFet”(鰭式場效應(yīng)晶體管)相關(guān),它是一種新的互補式金氧半導(dǎo)體晶體管。FinFET命名根據(jù)晶體管的形狀與魚鰭的相似性,這種設(shè)計可以改善電路控制并減少漏電流,縮短晶體管的閘長。
韓國科學(xué)技術(shù)院的專利部門KAIST IP在訴訟中指出,三星電子最初并不看好FinFet技術(shù)研究,認為它只是一種時尚。但是在三星電子的競爭對手英特爾開始授權(quán)這項專利并開發(fā)自己的產(chǎn)品后,這一切都發(fā)生了變化。2011年,英特爾推出商業(yè)化的FinFET,并把它使用在22納米節(jié)點的工藝中。三星電子在2015年率先把FinFET技術(shù)應(yīng)用于10納米制程。
作為當前全球最大的芯片制造商,三星電子向陪審團表示,該公司與韓國科學(xué)技術(shù)院共同合作開發(fā)FinFet技術(shù),否認侵犯了該技術(shù)專利。三星電子還對專利的有效性提出了質(zhì)疑。
陪審團在經(jīng)過審理后裁定,三星電子的侵權(quán)行為屬于“故意”或有意為之,這意味著法官可以將損害賠償額提高到陪審團設(shè)定的三倍。
FinFet技術(shù)是制造智能手機用處理器的關(guān)鍵技術(shù)之一。GlobalFoundries和三星電子目前都使用該技術(shù)制造芯片。作為全球最大的手機芯片制造商,高通是前兩者的客戶。上述三家公司在本案中進行了聯(lián)合辯護。
這起訴訟案標志著韓國頂尖科研機構(gòu)與對該國經(jīng)濟至關(guān)重要的公司之間的沖突。
截至目前,雙方的辯護律師均拒絕對裁定發(fā)表評論。
來源:騰訊科技
編譯:明軒
編輯:IPRdaily趙珍 校對:IPRdaily縱橫君
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