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淺析化學(xué)領(lǐng)域?qū)彶橐庖娭小邦A(yù)料不到的技術(shù)效果”的應(yīng)對策略

行業(yè)
納暮6個(gè)月前
淺析化學(xué)領(lǐng)域?qū)彶橐庖娭小邦A(yù)料不到的技術(shù)效果”的應(yīng)對策略

#本文僅代表作者觀點(diǎn),不代表IPRdaily立場,未經(jīng)作者許可,禁止轉(zhuǎn)載#


“什么是‘預(yù)料不到的技術(shù)效果’需要重點(diǎn)考量的因素?”


來源:IPRdaily中文網(wǎng)(iprdaily.cn)
作者:展艷珊 北京高沃律師事務(wù)所


在判斷創(chuàng)造性的考慮因素中,“預(yù)料不到的技術(shù)效果”越來越多地成為申請人和專利權(quán)人的爭辯手段。然而在創(chuàng)造性的實(shí)際審查過程中,在判斷發(fā)明的技術(shù)方案是否產(chǎn)生了“預(yù)料不到的技術(shù)效果”時(shí),經(jīng)常存在分歧。尤其在化學(xué)領(lǐng)域中,由于化學(xué)領(lǐng)域的預(yù)見性比較低,通常對于“質(zhì)”或“量”的變化無法事先預(yù)測或通過推理得出,判斷發(fā)明是否具有“預(yù)料不到的技術(shù)效果”更易產(chǎn)生分歧。因此,在化學(xué)領(lǐng)域,究竟什么樣的技術(shù)效果才可以算作預(yù)料不到的技術(shù)效果,什么因素是需要重點(diǎn)考量的因素,這些問題都是在面對發(fā)明申請是否具有“預(yù)料不到的技術(shù)效果”判斷時(shí)需要解決的難題。


“預(yù)料不到的技術(shù)效果”的概念


審查指南指出:發(fā)明取得了預(yù)料不到的技術(shù)效果,是指發(fā)明同現(xiàn)有技術(shù)相比,其技術(shù)效果產(chǎn)生了“質(zhì)”的變化,具有新的性能;或者產(chǎn)生“量”的變化,超出人們預(yù)期的想象。這種“質(zhì)”的或者“量”的變化,對所屬技術(shù)人員來說,事先無法預(yù)料或者推理出來。由此可以看出,判斷“預(yù)料不到的技術(shù)效果”其實(shí)與“三步法”中顯而易見的判斷一樣,均是在技術(shù)效果的事實(shí)基礎(chǔ)上作出的判斷;并且,判斷發(fā)明是否具備“預(yù)料不到的技術(shù)效果”的主體應(yīng)當(dāng)是所屬領(lǐng)域技術(shù)人員。因此,“預(yù)料不到的技術(shù)效果”是指技術(shù)效果本身的“質(zhì)”變或“量”變相對于所屬領(lǐng)域技術(shù)人員的判斷能力和現(xiàn)有技術(shù)給出的教導(dǎo)而言的,需要以所屬領(lǐng)域技術(shù)人員視角根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)以及本申請的技術(shù)效果做出的全面、客觀的評判。


什么是“預(yù)料不到的技術(shù)效果”需要重點(diǎn)考量的因素?


筆者認(rèn)為,預(yù)料不到的技術(shù)效果會體現(xiàn)在發(fā)明實(shí)際解決的技術(shù)問題上,實(shí)際解決的技術(shù)問題經(jīng)常就是發(fā)明相對于現(xiàn)有技術(shù)產(chǎn)生的技術(shù)效果自身或者是將其提煉、概括或抽象成的技術(shù)任務(wù),同時(shí)該技術(shù)效果是否屬于“預(yù)料不到”又由技術(shù)啟示的強(qiáng)弱來決定。因此,如果發(fā)明產(chǎn)生了預(yù)料不到的技術(shù)效果,一般情況下也說明區(qū)別技術(shù)特征能夠解決這一技術(shù)問題是難以預(yù)料的;進(jìn)而意味著,現(xiàn)有技術(shù)沒有給出明確、充分的解決該技術(shù)問題的技術(shù)啟示,于是,該發(fā)明的得出也將會是非顯而易見的。因此,“預(yù)料不到的技術(shù)效果”需要重點(diǎn)考慮的因素是:“預(yù)料不到的技術(shù)效果”與實(shí)際解決的技術(shù)問題和技術(shù)啟示的判斷之間的關(guān)系。


下面結(jié)合復(fù)審成功的案例舉例說明:


案例:


(一)案情簡述:


權(quán)利要求:


1、一種磷酸二氫鉀類單晶光纖的生長方法,其特征在于,所述的磷酸二氫鉀類單晶光纖為四方相磷酸二氫鉀單晶光纖、單斜相磷酸二氫鉀單晶光纖、四方相磷酸二氘鉀單晶光纖或單斜相磷酸二氘鉀單晶光纖;所述的磷酸二氫鉀的分子式為KH2PO4,所述的磷酸二氘鉀的分子式為K(H1-xDx)2PO4,其中0<x<1;

具體生長方法包括步驟如下:

將磷酸二氫鉀加入溶劑中,密封加熱溶解得到澄清磷酸二氫鉀溶液;將所得溶液在70-90℃下過熱48小時(shí),之后過濾至生長槽中,冷卻至0-30℃,得到過飽和溶液;向上述過飽和溶液中加入晶種,在采用下種生長方式,在生長槽密封狀態(tài)下生長,得到單晶光纖;

所述的溶劑為超純水和/或重水;

所述的磷酸二氫鉀溶液的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為15-40%;

所述的晶種為直徑1-50μm,長徑比為20:1-70:1的KDP晶體。


2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磷酸二氫鉀類單晶光纖的生長方法,其特征在于,所述的四方相磷酸二氫鉀單晶光纖屬于-42m點(diǎn)群,I-42d空間群,a=b=7.453?,c=6.793?,α=β=γ=90°;所述的單斜相磷酸二氫鉀單晶光纖屬于2/m點(diǎn)群,P21/c空間群,a=14.598(5)?,b=4.503(5)?,c=18.650(5)?,α=90°,γ=90°,β=108.040(5)°;所述的四方相磷酸二氘鉀單晶光纖屬于-42m點(diǎn)群,I-42d空間群,a=b=7.48?,c=7.0?,α=β=γ=90°;所述的單斜相磷酸二氘鉀單晶光纖屬于2/m點(diǎn)群,P21/c空間群,a=14.6571(5)?,b=4.5187(5)?,c=18.6962(5)?,α=90°,γ=90°,β=108.030(2)°。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磷酸二氫鉀類單晶光纖的生長方法,其特征在于,所述的單晶光纖的直徑為1-100μm;所述單晶光纖的長徑比≥500:1。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磷酸二氫鉀類單晶光纖的生長方法,其特征在于,所述的磷酸二氫鉀溶液的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為20-35%。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磷酸二氫鉀類單晶光纖的生長方法,其特征在于,所述的磷酸二氫鉀溶液的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為23%、26%、28.5%、31%、33.3%。......

審查員在審查意見通知書中指出:對比文件1公開了KDP單晶光纖生長及相變研究,并具體公開了高飽和溶液快速生長得到KDP(即KH2PO4)四方相單晶光纖。權(quán)利要求1與對比文件1的區(qū)別為:密封加熱;將溶液在70-90℃下過熱48小時(shí),過熱和過濾順序不同,冷卻至0-30℃;生長槽密封,得到單晶光纖;晶種直徑、長徑比。對于上述區(qū)別技術(shù)特征,選擇密封加熱、生長槽密封是本領(lǐng)域的常規(guī)選擇。對比文件1公開了所有溶液均升溫至80℃下過熱2h,本領(lǐng)域技術(shù)人員基于對比文件1的記載能夠選擇合適的過熱溫度和時(shí)間。另外,本領(lǐng)域眾所周知,KDP溶液的飽和度隨溫度的降低而增大,本領(lǐng)域技術(shù)人員為了快速制備KDP類單晶光纖,通過有限次常規(guī)試驗(yàn)?zāi)軌蛘{(diào)整合適的生長溫度,其技術(shù)效果可以預(yù)期。此外,根據(jù)需要選擇過熱和過濾的順序也為常規(guī)選擇。

因此,在對比文件1的基礎(chǔ)上結(jié)合本領(lǐng)域常規(guī)技術(shù)手段得到權(quán)利要求1請求保護(hù)的技術(shù)方案對于本領(lǐng)域技術(shù)人員來說是顯而易見的,該方案不具有突出的實(shí)質(zhì)性特點(diǎn)和顯著的進(jìn)步,不具備創(chuàng)造性,不符合專利法第22條第3款的規(guī)定。


審?fù)A段是如何答復(fù)的?


A:對比文件1在體塊KDP晶體的柱面死區(qū)進(jìn)行KDP單晶光纖的生長研究,不僅未能實(shí)現(xiàn)KDP單晶光纖的下種控制生長,甚至沒有在其設(shè)定的實(shí)驗(yàn)條件下觀察到任何光纖生長的跡象,即對比文件1使用下種生長的方法,并未生長得到KDP類單晶光纖。

B:本申請的KDP類單晶光纖的生長條件與對比文件1不同,對比文件1并未涉及本申請KDP類單晶光纖的生長條件:本申請優(yōu)化的生長溫度為25-30℃,晶種為直徑1-50μm,長徑比為20:1-70:1的KDP晶體,磷酸二氫鉀溶液的濃度為20-35%,在上述條件下,本申請實(shí)現(xiàn)了KDP類單晶光纖的可控生長,并且得到了高質(zhì)量、光纖直徑以及長度可控的優(yōu)質(zhì)單晶光纖晶體。而對比文件1僅僅是在體塊晶體柱面死區(qū)進(jìn)行了單晶光纖生長的初步探究,其并未得到單晶光纖,并且生長條件與本申請完全不同。


審查員對于答復(fù)的回復(fù)


A:審查員堅(jiān)持認(rèn)為對比文件1與本申請均為下種法,且對比文件1利用下種生長法能夠得到KDP類單晶光纖。

B:對比文件1公開了KDP四方相單晶光纖在質(zhì)量分?jǐn)?shù)為23%的磷酸二氫鉀溶液中的飽和點(diǎn)是34.1℃,對比文件1也是通過對下種生長法溶液降溫來使得溶液過飽和,且本申請實(shí)施例的實(shí)驗(yàn)參數(shù)與對比文件1所給出的實(shí)驗(yàn)參數(shù)不具有可比性(對比文件1是通過控制過飽和度)。本領(lǐng)域技術(shù)人員在對比文件1所公開的參數(shù)的基礎(chǔ)上,通過有限次實(shí)驗(yàn)?zāi)軌蛏L得到KDP單晶光纖。


思考:為什么審查員不認(rèn)可審?fù)A段的意見陳述?


A:通過上述論述可知,本申請相對于對比文件1的技術(shù)優(yōu)勢是即“本申請通過控制制備方法制備出了磷酸二氫鉀類單晶光纖,而對比文件1中并未制備出單晶光纖”,然而在論述的過程中,審?fù)ù饛?fù)時(shí)只是將此結(jié)果告知了審查員,并未結(jié)合對比文件1深入地分析為什么對比文件1沒有制備出磷酸二氫鉀類單晶光纖。而由于對比文件1的命名是“KDP單晶光纖生長及變相研究”,且存在長徑比達(dá)到1000:1的KDP單晶光纖的情況,因此,審查員就有理由相信對比文件1實(shí)質(zhì)上也做出了長徑比可達(dá)到1000:1的KDP單晶光纖,進(jìn)而審查員完全有理由不認(rèn)可審?fù)ù饛?fù)的意見陳述。

B:對比文件1是通過調(diào)控過飽和度研究單晶光纖的生長研究,而本申請是通過調(diào)控KDP溶液的質(zhì)量分?jǐn)?shù)和生長溫度來生長單晶光纖,二者之間的關(guān)系是什么?審?fù)A段答復(fù)并未進(jìn)行陳述。而本領(lǐng)域公知過飽和度與溶液的質(zhì)量分?jǐn)?shù)和溫度有關(guān),因此,審查員完全有理由相信本申請是受到對比文件1的啟發(fā),通過調(diào)控KDP溶液的質(zhì)量分?jǐn)?shù)和生長溫度來調(diào)控單晶光纖的生長,進(jìn)而得到單晶光纖。


(二)在復(fù)審階段應(yīng)該如何做才能爭取授權(quán)?


下面,筆者將結(jié)合“三步法”來說明在復(fù)審階段的答復(fù)思路。三步法中要求采用“確定最接近現(xiàn)有技術(shù)”-“確定發(fā)明與最接近現(xiàn)有技術(shù)的區(qū)別技術(shù)特征和實(shí)際解決的技術(shù)問題”-“判斷發(fā)明是否顯而易見”的方式判斷發(fā)明是否具備創(chuàng)造性,并結(jié)合預(yù)料不到的技術(shù)效果進(jìn)行論述。

1、文件修改

將權(quán)利要求1中的磷酸二氫鉀溶液的質(zhì)量分?jǐn)?shù)修改為“23-40%”;將權(quán)利要求1中的“冷卻至0-30℃”修改為“冷卻至0-25℃”,將權(quán)利要求1與3合并作為新的權(quán)利要求1,對其余權(quán)利要求的序號做適應(yīng)性修改。

2、以對比文件1作為最接近的現(xiàn)有技術(shù),確定本申請修改后的權(quán)利要求1與對比文件1的區(qū)別技術(shù)特征:

(1)本申請限定了將磷酸二氫鉀加入溶劑中,密封加熱溶解得到澄清磷酸二氫鉀溶液,對比文件1中未公開;

(2)過熱和過濾的順序與對比文件1中不同;

(3)本申請限定了磷酸二氫鉀溶液的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為23-40%,將過熱后的溶液在生長槽中冷卻至0-25℃,得到過飽和溶液;

(4)本申請限定了晶種為直徑1-50μm,長徑比為20:1-70:1的KDP晶體。

確定修改后的權(quán)利要求1實(shí)際要解決的技術(shù)問題是:提供一種生長速率快、晶體質(zhì)量好、大長徑比的磷酸二氫鉀類單晶光纖的生長方法。

答復(fù)思路:


(1)結(jié)合對比文件1公開的內(nèi)容說明對比文件1雖然公開了對溶液進(jìn)行過熱處理,但是其過熱處理是為了研究外界環(huán)境對KDP晶體成核生長的影響(屬于自發(fā)成核法),而本申請是“下種法”,是將晶核放入到溶液后進(jìn)行單晶的生長,不需要考慮外界環(huán)境對晶核形成的影響。即對比文件1研究溫度對KDP晶體形貌的影響的實(shí)驗(yàn)實(shí)質(zhì)是自發(fā)成核的方法,而并非是審查員所認(rèn)為的屬于下種法。(此段內(nèi)容是針對審查員對于本申請的技術(shù)方案屬于下種法的反駁)

(2)在復(fù)審答復(fù)時(shí)將要解決的技術(shù)問題設(shè)置為“提供一種生長速率快、晶體質(zhì)量好、大長徑比的磷酸二氫鉀類單晶光纖的生長方法”是突出本申請創(chuàng)造性的關(guān)鍵。這是由于:

其一,對比文件1并未制備出高質(zhì)量、高長徑比的KDP單晶光纖,也沒有給出如何獲得高質(zhì)量、高長徑比的KDP單晶光纖的技術(shù)啟示。

其二:本申請與對比文件1的區(qū)別技術(shù)特征之一是KDP溶液的濃度存在差異,審查員認(rèn)為“KDP溶液的飽和度隨溫度降低而增加,本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠通過有限次實(shí)驗(yàn)根據(jù)對比文件1所公開的柱面生長死區(qū)來調(diào)整合適的生長溫度?!比欢?,判斷發(fā)明是否具有創(chuàng)造性要看是否具有突出的實(shí)質(zhì)性特點(diǎn)和顯著的進(jìn)步,突出的實(shí)質(zhì)性特點(diǎn)指的是要求保護(hù)的發(fā)明相對于現(xiàn)有技術(shù)是否顯而易見,而顯著的進(jìn)步主要應(yīng)當(dāng)考慮發(fā)明是否具有有益的技術(shù)效果。因此,在論述的時(shí)候結(jié)合對比文件1論述:首先,對比文件1并未制備出高質(zhì)量、大長徑比的KDP單晶光纖;其次,對比文件1給出的技術(shù)啟示是在KDP溶液的過飽和度低于10.03%時(shí)會出現(xiàn)單晶光纖(質(zhì)量不高),高于10.03%時(shí)會出現(xiàn)三維生長趨勢,不能得到單晶光纖。換句話說,對比文件1不能給出解決本申請技術(shù)問題的技術(shù)啟示。而本申請修改后的權(quán)利要求1中的KDP溶液的過飽和度高達(dá)16.63%以上,遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于對比文件1中的10.03%,采用下種生長的方式,通過控制生長參數(shù),在室溫或低于室溫條件下獲得KDP四方相或單斜相單晶光纖,光纖直徑在1-100μm范圍之內(nèi),長徑比≥500:1,擁有極大的長徑比,光纖直徑可控,表面光滑,得到的了高質(zhì)量的KDP單晶光纖,達(dá)到了預(yù)料不到的技術(shù)效果。

總結(jié):在上述案例中,在復(fù)審階段答復(fù)的關(guān)鍵在于:其一,設(shè)置技術(shù)問題為提供一種生長速率快、晶體質(zhì)量好、大長徑比的磷酸二氫鉀類單晶光纖的生長方法。這一技術(shù)問題設(shè)置的關(guān)鍵在于對比文件1沒有制備出生長速率快、晶體質(zhì)量好、大長徑比的磷酸二氫鉀類單晶光纖,本領(lǐng)域技術(shù)人員難以預(yù)料如何對對比文件1的技術(shù)方案進(jìn)行改進(jìn)能夠制備出生長速率快、晶體質(zhì)量好、大長徑比的磷酸二氫鉀類單晶光纖。其二:對比文件1給出的技術(shù)啟示是當(dāng)KDP溶液的過飽和度高于10.03%時(shí)會出現(xiàn)三維生長趨勢,不能得到單晶光纖;而復(fù)審答復(fù)時(shí)通過對權(quán)利要求書的修改和意見陳述證明了在“KDP溶液的過飽和度高達(dá)16.63%以上,遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于對比文件1中的10.03%,得到的了高質(zhì)量的KDP單晶光纖”,這達(dá)到了預(yù)料不到的技術(shù)效果,因此,該發(fā)明是有創(chuàng)造性的。

因此,對于“預(yù)料不到的技術(shù)效果”的答復(fù),筆者認(rèn)為,從“預(yù)料不到的技術(shù)效果”與“實(shí)際解決的技術(shù)問題和技術(shù)啟示”之間的關(guān)系著手進(jìn)行論述,以突出技術(shù)方案的創(chuàng)造性。


展艷珊作者專欄


1、淺析化學(xué)領(lǐng)域?qū)彶橐庖娭小肮WR”的應(yīng)對策略

(原標(biāo)題:淺析化學(xué)領(lǐng)域?qū)彶橐庖娭小邦A(yù)料不到的技術(shù)效果”的應(yīng)對策略)


淺析化學(xué)領(lǐng)域?qū)彶橐庖娭小邦A(yù)料不到的技術(shù)效果”的應(yīng)對策略


來源:IPRdaily中文網(wǎng)(iprdaily.cn)

作者:展艷珊 北京高沃律師事務(wù)所

編輯:IPRdaily辛夷          校對:IPRdaily縱橫君


注:原文鏈接淺析化學(xué)領(lǐng)域?qū)彶橐庖娭小邦A(yù)料不到的技術(shù)效果”的應(yīng)對策略點(diǎn)擊標(biāo)題查看原文)


淺析化學(xué)領(lǐng)域?qū)彶橐庖娭小邦A(yù)料不到的技術(shù)效果”的應(yīng)對策略

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