如何從「背景技術(shù)撰寫」角度，提高申請文件的撰寫質(zhì)量？

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作者：陳紅紅北京品源專利代理有限公司

原標(biāo)題：淺談如何由背景技術(shù)的撰寫提高申請文件的撰寫質(zhì)量

背景技術(shù)為說明書的重要組成部分，也是整個說明書的基礎(chǔ)，能體現(xiàn)出專利申請文件的邏輯性。背景技術(shù)記載了現(xiàn)有技術(shù)所存在的問題，體現(xiàn)了發(fā)明或?qū)嵱眯滦偷陌l(fā)明點，能夠為確定獨立權(quán)利要求的必要技術(shù)特征提供依據(jù)。本文從選擇性的參考技術(shù)交底書以及背景技術(shù)的撰寫思路等方面對背景技術(shù)的撰寫提出建議，以期提高專利申請文件的撰寫質(zhì)量。

專利申請文件的說明書包括技術(shù)領(lǐng)域、背景技術(shù)、發(fā)明或?qū)嵱眯滦蛢?nèi)容、附圖說明和具體實施方式。其中背景技術(shù)部分應(yīng)當(dāng)寫明對發(fā)明或?qū)嵱眯滦偷睦斫?、檢索、審查有用的背景技術(shù)，并且盡可能引證反應(yīng)這些背景技術(shù)的文件。背景技術(shù)能夠體現(xiàn)出說明書整體的邏輯主線，能夠直指發(fā)明或?qū)嵱眯滦蛢?nèi)容所要解決的技術(shù)問題。

但是，背景技術(shù)卻并未引起大多數(shù)申請人或代理人的重視，造成背景技術(shù)撰寫過程中過于隨意，內(nèi)容過多或過少，邏輯混亂，讀起來不知所云，造成審查員無法正確理解發(fā)明或?qū)嵱眯滦偷膶嵸|(zhì)、發(fā)明點及其專利性，從而造成背景技術(shù)起不到其該有的作用。

究竟如何撰寫高質(zhì)量的背景技術(shù)呢？筆者從專利代理人的角度給出如下幾點建議：

一、實際撰寫過程中建議不要照搬技術(shù)交底書

技術(shù)交底書是發(fā)明人和代理人對技術(shù)溝通的重要資料，代理人可以通過技術(shù)交底書獲得技術(shù)相關(guān)的信息。但是，發(fā)明人撰寫的技術(shù)交底書僅是為了介紹技術(shù)信息，因此，有些技術(shù)交底書可能僅對發(fā)明點的技術(shù)內(nèi)容做針對性描述，背景技術(shù)則寥寥數(shù)筆帶過；還有些技術(shù)交底書則可能對背景技術(shù)著墨較多，對相應(yīng)技術(shù)的發(fā)展史、技術(shù)發(fā)展過程中的各種問題以及解決各種問題的過程都進行了詳細(xì)介紹。

代理人如果照搬發(fā)明人提供的背景技術(shù)則無法滿足審查指南中對背景技術(shù)做出的基本要求。

比如，如果背景技術(shù)的內(nèi)容過少，將造成審查員（或其他讀者）無法了解發(fā)明或?qū)嵱眯滦退Ｗo的客體以及背景技術(shù)中存在的問題和缺點，以至審查員無法清楚發(fā)明或?qū)嵱眯滦褪轻槍ΜF(xiàn)有技術(shù)中存在的何種問題提出的；如果背景技術(shù)的內(nèi)容過多，涉及到保護客體的缺點過多，內(nèi)容繁雜，缺乏條理，導(dǎo)致讀者不能清晰的了解到該發(fā)明或?qū)嵱眯滦偷恼嬲鉀Q的問題以及所要達到的效果。

因此，針對發(fā)明人提供的技術(shù)交底書要進行選擇性參考，合理運用，不能盲目使用。

二、撰寫的思路

首先，針對保護的客體或其相關(guān)概念進行基本介紹。

主要是該客體或相關(guān)概念的所屬的領(lǐng)域、作用以及其應(yīng)用的環(huán)境或者作業(yè)的對象等一些基本情況進行介紹。客體及相關(guān)概念介紹清楚有助于審查員的理解，否則在審查員不了解保護客體的前提下，并不能真正清楚其缺點及問題所在，造成審查員理解存在偏差。

在背景技術(shù)中可以采用定義的方式對保護客體進行介紹，定義的給出可以參照教科書或工具書，還可以根據(jù)代理人自身對保護客體的理解進行定義。

其次，對現(xiàn)有技術(shù)方案進行具體介紹并提出其存在的缺點和問題。

在介紹保護客體的缺點和問題時，盡量介紹清楚現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，不要單純的采用效果來描述，例如僅僅描述現(xiàn)有技術(shù)中技術(shù)方案的結(jié)構(gòu)復(fù)雜，不介紹其具體結(jié)構(gòu)，則造成無法證明專利申請文件提出的技術(shù)方案是簡化的結(jié)構(gòu)，因此，無法證明其具有專利性。

由上述可知，對現(xiàn)有技術(shù)的具體技術(shù)方案進行介紹是必要的。除了文字描述外還可以通過附圖進行輔助說明；有可能的，可以引證反應(yīng)這些背景技術(shù)的文件。尤其要引證包含發(fā)明或者實用新型權(quán)利要求書中的獨立權(quán)利要求前序部分技術(shù)特征的現(xiàn)有技術(shù)文件，即引證與發(fā)明或者實用新型專利申請最接近的現(xiàn)有技術(shù)文件。說明書中引證的文件可以是專利文件，也可以是非專利文件，例如期刊、雜志、手冊和書籍等。引證專利文件的，至少要寫明專利文件的國別、公開號，最好包括公開日期；引證非專利文件的，要寫明這些文件的標(biāo)題和詳細(xì)出處（參照專利審查指南）。

另外，無需提出現(xiàn)有技術(shù)中過多的缺點和問題。在背景技術(shù)中提出過多的缺陷，容易導(dǎo)致審查員不清楚發(fā)明或?qū)嵱眯滦椭饕鉀Q的問題，或者造成獨立權(quán)利要求由于要解決較多的問題導(dǎo)致保護范圍縮小。

三、案例分析

該案例是針對“一種靜電放電模擬器的校準(zhǔn)輔助裝置”的背景技術(shù)進行的撰寫，要解決的技術(shù)問題是：校準(zhǔn)時，靜電放電模擬器不能連續(xù)集中放電靶靶心導(dǎo)致的無法準(zhǔn)確校準(zhǔn)的問題。

上述案件的背景技術(shù)的撰寫初稿為：

“按照國家相關(guān)規(guī)定，凡是與人接觸的電子設(shè)備都必須進行靜電放電抗擾度試驗，因而靜電放電模擬器/靜電放電發(fā)生器（或叫靜電槍）是電磁兼容測試中使用最廣泛的設(shè)備之一。

靜電放電模擬器傳統(tǒng)的測試方法是人工持槍對準(zhǔn)靜電靶連續(xù)放電，直到示波器上能夠穩(wěn)定讀到準(zhǔn)確的波形，這樣的缺點就是人有被高壓電擊到的可能以及由于通過手握控制不能保持穩(wěn)定，可能造成槍頭不能連續(xù)接觸擊中靶心，引起測量誤差。

目前，針對一些設(shè)置有連接孔的靜電放電模擬器可以使用簡單支架對其進行固定，但是對于未設(shè)置連接孔的靜電放電模擬器卻不能使用支架對其進行固定，并且即使將靜電放電模擬器進行固定，還是需要人去觸發(fā)靜電放電模擬器，依然存在人被高壓電擊到的危險。

針對上述缺陷，亟需設(shè)計一種靜電放電模擬器的校準(zhǔn)輔助裝置，以解決靜電放電模擬器不能連續(xù)接觸擊中靶心，引入測量誤差的問題，還避免人去觸發(fā)靜電放電模擬器，以解決人體接觸到高壓電的問題?！?/span>

上述背景技術(shù)中，并沒有對靜電放電模擬器的校準(zhǔn)裝置進行介紹，或者對如何校準(zhǔn)靜電放電模擬器進行介紹，只是提到了“靜電放電抗擾度試驗”和“靜電放電模擬器傳統(tǒng)的測試方法”，如果對該領(lǐng)域不是特別熟悉的讀者（包括審查員）則可能將這兩部分認(rèn)為是同一個試驗，而并不會聯(lián)想到靜電放電模擬器傳統(tǒng)的測試方法是校準(zhǔn)靜電放電模擬器的試驗。因此，該背景技術(shù)中并未介紹清楚校準(zhǔn)靜電放電模擬器是如何校準(zhǔn)。

另外，對于現(xiàn)有技術(shù)的介紹中，提到了兩個缺點，一個缺點是“人有被高壓電擊到的可能”，另一個缺點是“不能連續(xù)接觸擊中靶心”，而后針對第一個缺點介紹現(xiàn)有技術(shù)中的解決方案“針對一些設(shè)置有連接孔的靜電放電模擬器可以使用簡單支架對其進行固定，但是對于未設(shè)置連接孔的靜電放電模擬器卻不能使用支架對其進行固定”。

該背景技術(shù)中提出兩個缺點，并未分清具體哪個缺點是主要缺點，如果以篇幅的多少來區(qū)分，第一個缺點應(yīng)該為主要缺點，但是與申請人真正想解決的問題又背道而馳。另外，針對第一個缺點給出解決的技術(shù)方案，并未描述清楚結(jié)構(gòu)，并不能得出連接孔的結(jié)構(gòu)或位置，也沒有相應(yīng)的附圖進行輔助說明，僅能得出現(xiàn)有技術(shù)中不能消除所有類型的靜電放電模擬器校準(zhǔn)時被電擊的危險。

最后，由現(xiàn)有技術(shù)存在的問題引出本申請的校準(zhǔn)裝置，以解決兩個問題，一個問題是“靜電放電模擬器不能連續(xù)接觸擊中靶心，引入測量誤差的問題”，另一個問題是“人體接觸到高壓電的問題”。也就是本申請的獨立權(quán)利要求需要一并解決這兩個問題，因此獨立權(quán)利要求中的必要技術(shù)特征相對于解決一個問題時的必要技術(shù)特征增加，也造成獨立權(quán)利要求的保護范圍減小，將損害申請人的權(quán)益。

基于背景技術(shù)初稿中存在的問題進行修改，修改后的背景技術(shù)如下：

“靜電放電發(fā)生器 (ESD Generator) 或叫靜電放電模擬器(ESD Simulator)，俗稱靜電放電槍(ESD gun)，是電磁兼容測量試驗中與靜電放電抗擾度(ESD immunity)試驗中的重要設(shè)備，目的是為了檢驗電子設(shè)備受到外來靜電放電時能否正常工作。在進行電磁兼容測量試驗或靜電放電抗擾度試驗時，一般利用結(jié)構(gòu)緊湊的手持式靜電放電模擬器/手持式靜電放電發(fā)生器產(chǎn)生放電，為了保證抗擾度試驗的準(zhǔn)確性，需要對靜電放電模擬器校準(zhǔn)后使用。

現(xiàn)有技術(shù)中，在進行靜電放電模擬器校準(zhǔn)試驗時，操作人員持握靜電放電模擬器對準(zhǔn)靜電靶，操作人員觸發(fā)靜電放電模擬器的開關(guān)后靜電放電模擬器對靜電靶連續(xù)放電，靜電靶將接收的電信號經(jīng)過高壓衰減器后再傳到示波器上顯示，直到示波器上能夠穩(wěn)定讀到準(zhǔn)確的波形曲線，然后將得到的波形曲線與標(biāo)準(zhǔn)曲線進行校準(zhǔn)比對。上述校準(zhǔn)試驗中，由于操作人員直接持握靜電放電模擬器進行試驗，將會造成靜電放電模擬器晃動，使得靜電放電模擬器不能連續(xù)擊中靶心，示波器上無法顯示穩(wěn)定且準(zhǔn)確的波形曲線，從而不能準(zhǔn)確的對靜電放電模擬器進行校準(zhǔn)。

針對現(xiàn)有技術(shù)中存在的缺陷，亟需設(shè)計一種靜電放電模擬器的校準(zhǔn)輔助裝置，以解決靜電放電模擬器不能連續(xù)擊中放電靶靶心導(dǎo)致的無法準(zhǔn)確校準(zhǔn)的問題。

修改后的背景技術(shù)的撰寫思路為：首先給出靜電放電模擬器的定義，介紹其應(yīng)用，并引出其需要校準(zhǔn)后使用。然后，具體介紹現(xiàn)有技術(shù)中靜電放電模擬器校準(zhǔn)的過程，并根據(jù)該具體過程指出該校準(zhǔn)中存在的問題。最后，根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)靜電放電模擬器校準(zhǔn)中存在的問題，提出本申請中需要解決的問題。”

修改后的背景技術(shù)對靜電放電模擬器和其校準(zhǔn)過程均給出了具體的介紹，避免讓審查員帶著疑問進行閱讀，并且現(xiàn)有技術(shù)的缺點與需要解決的問題對應(yīng)，發(fā)明點一目了然，易獲得審查員的認(rèn)可。

綜上所述，合格的背景技術(shù)應(yīng)該基于對現(xiàn)有技術(shù)的準(zhǔn)確理解，以及準(zhǔn)確、邏輯清晰的語言表達。合格的背景技術(shù)有助于提高專利申請文件的撰寫質(zhì)量，有助于審查員對申請文件的理解，有助于維護申請人權(quán)益，因此應(yīng)重視背景技術(shù)的撰寫。

來源：IPRdaily中文網(wǎng)（IPRdaily.cn）

作者：陳紅紅北京品源專利代理有限公司

編輯：IPRdaily趙珍校對：IPRdaily縱橫君

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